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Servicio Integral Original SQJ560EP-T1_BE3 PowerPAK SO-8 Componentes Electrónicos de Transistores Dobles

Sin reseñas
EUR 1.20
100-3,099 unidades
EUR 0.6036
≥3,100 unidades

Cantidad

Características principales

Número de pieza del fabricante

SQJ560EP-T1_BE3

Marca

Original

Descripción

MOSFET N/P-CH 60V 30A PPAK SO8

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

PowerPAK SO-8 Dual

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)

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Características clave

Número de pieza del fabricante
SQJ560EP-T1_BE3
Marca
Original
Descripción
MOSFET N/P-CH 60V 30A PPAK SO8
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
PowerPAK SO-8 Dual
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Serie
TrenchFET
Código de fecha de fabricación
NUEVO
Poder-Max
34W (Tc)
FET característica
-
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
60V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
30A (Tc), 18A (Tc)
Rds (Max) @ Id Vgs
12mOhm a 10A, 10V, 52.6mOhm a 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
30nC @ 10V, 45nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
1650pF @ 25V
Configuración
N and P-Channel
Tipo de montaje
Montaje superficial
Embalaje
Tape & Reel (TR), cinta cortada (CT), Digi-Reel
Tecnología
MOSFET (Óxido Metálico)
Configuración
Canal N y P

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.1 kg

Tiempo de entrega

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