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Servicio Integral Original de Transistores 8-DFN GC11N65D5, Componentes Electrónicos

Sin reseñas
EUR 1.52
100-3,099 unidades
EUR 0.7606
≥3,100 unidades

Cantidad

Características principales

Número de pieza del fabricante

GC11N65D5

Marca

Original

Descripción

N650V, 11A, RD<360M@10V, VTH2.5V~4

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

8-DFN (4.9x5.75)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Características clave

Número de pieza del fabricante
GC11N65D5
Marca
Original
Descripción
N650V, 11A, RD<360M@10V, VTH2.5V~4
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
8-DFN (4.9x5.75)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Serie
SuperJunction
Código de fecha de fabricación
NUEVO
FET tipo
N-Channel
FET característica
-
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
650 V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
11A (Tc)
Rds (Max) @ Id Vgs
360mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
21 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
901 pF @ 50 V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
10V
Vgs (Max)
±30V
Tipo de montaje
Montaje superficial
Embalaje
Cinta cortada (CT)
Tipo de FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (Óxido Metálico)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.1 kg

Tiempo de entrega

Descripción de producto del proveedor

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