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Servicio Integral Original de Transistores L-TOGL XPQR8308QB, Chips Electrónicos LXHQ

Sin reseñas
EUR348
100-3,099 unidades
EUR175
≥3,100 unidades

Cantidad

Características principales

Número de pieza del fabricante

XPQR8308QB,LXHQ

Marca

Original

Descripción

80V UMOS10 L-TOGL 0.83MOHM

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

L-TOGL

Temperatura de funcionamiento

175°C

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Características clave

Número de pieza del fabricante
XPQR8308QB,LXHQ
Marca
Original
Descripción
80V UMOS10 L-TOGL 0.83MOHM
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
L-TOGL
Temperatura de funcionamiento
175°C
Serie
U-MOSX-H
Código de fecha de fabricación
NUEVO
FET tipo
N-Channel
FET característica
-
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
80 V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
350A (Ta)
Rds (Max) @ Id Vgs
0.83mOhm @ 175A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3.5V @ 3.2mA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
305 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
24700 pF @ 10 V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
6V, 10V
Vgs (Max)
±20V
Tipo de montaje
Montaje superficial
Embalaje
Tape & Reel (TR), cinta cortada (CT), Digi-Reel
Tipo de FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (Óxido Metálico)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.1 kg

Tiempo de entrega

Descripción de producto del proveedor

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