





Atributos
NXH030F120M3F1PTGNúmero de Modelo
Montaje del chasisTipo de montaje
ChinaLugar del origen
OriginalMarca
FETs, MOSFETsAplicación funcional
ModulePackage / Case
Description:MOSFET 4N-CH 1200V 38A 22PIM
Package:Tray
Technology:Silicon Carbide (SiC)
Configuration:4 N-Channel (Full Bridge)













