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UNITE CHANCE CO., LIMITED
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Transistores Originales de Servicio Integral PG-TO251-3-342 IPS80R2K0P7AKMA1 Componente Electrónico

Sin reseñas
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100-3,099 unidades
EUR 0.1223
≥3,100 unidades

Cantidad

Características principales

Número de pieza del fabricante

IPS80R2K0P7AKMA1

Marca

Original

Descripción

MOSFET N-CH 800V 3A TO251-3

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

PG-TO251-3-342

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Características clave

Tipo de montaje
Estándar
FET característica
-
PAQUETE/cubierta
PG-TO251-3-342
Descripción
MOSFET N-CH 800V 3A TO251-3
Número de pieza del fabricante
IPS80R2K0P7AKMA1
Marca
Original
Lugar del origen
China
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Serie
CoolMOS P7
Código de fecha de fabricación
NUEVO
FET tipo
N-Channel
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
800 V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
3A (Tc)
Rds (Max) @ Id Vgs
2 ohmios a 940 mA, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
3.5V @ 50µA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
9 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
175 pF @ 500 V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
10V
Vgs (Max)
±20V
Tipo de montaje
A través del agujero
Embalaje
Tubo
Tipo de FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (Óxido Metálico)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg

Tiempo de entrega

Descripción de producto del proveedor

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