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Servicio Integral Original de Transistores PG-TO247-3-U04 IMWH170R450M1XKSA1 Componentes Electrónicos

Sin reseñas
EUR471
100-3,099 unidades
EUR236
≥3,100 unidades

Cantidad

Características principales

Número de pieza del fabricante

IMWH170R450M1XKSA1

Marca

Original

Descripción

IMWH170R450M1XKSA1

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

PG-TO247-3-U04

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)

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Características clave

Número de pieza del fabricante
IMWH170R450M1XKSA1
Marca
Original
Descripción
IMWH170R450M1XKSA1
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
PG-TO247-3-U04
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Serie
CoolSiC
Código de fecha de fabricación
NUEVO
FET tipo
N-Channel
FET característica
-
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
1700 V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
10A (Tj)
Rds (Max) @ Id Vgs
390mOhm @ 2A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id
5.7V @ 2.6mA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
11.7 nC @ 12 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
506 pF @ 1000 V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
12V, 15V
Vgs (Max)
15V, 12V
Tipo de montaje
A través del agujero
Embalaje
Bandeja
Tipo de FET
Canal N
Tecnología
SiCFET (Carburo de Silicio)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.1 kg

Tiempo de entrega

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