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Servicio Integral Original de Transistores TO-236AB NXV90EPR, Componentes Electrónicos

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100-3,099 unidades
EUR 0.1328
≥3,100 unidades

Cantidad

Características principales

Número de pieza del fabricante

NXV90EPR

Marca

Original

Descripción

NXV90EP/SOT23/TO-236AB

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

TO-236AB

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Características clave

Número de pieza del fabricante
NXV90EPR
Marca
Original
Descripción
NXV90EP/SOT23/TO-236AB
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
TO-236AB
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Serie
TrenchMOS
Código de fecha de fabricación
NUEVO
FET tipo
P-Channel
FET característica
-
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
30 V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
1.5A (Ta)
Rds (Max) @ Id Vgs
120mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
7.7 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
252 pF @ 15 V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
4.5V, 10V
Vgs (Max)
±20V
Tipo de montaje
Montaje superficial
Embalaje
Tape & Reel (TR), cinta cortada (CT), Digi-Reel
Tipo de FET
Canal P
Tecnología
MOSFET (Óxido Metálico)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.1 kg

Tiempo de entrega

Descripción de producto del proveedor

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