Transistores Originales de Servicio Integral TO-236AB BSH205G2R, Componentes de Circuitos Electrónicos
Sin reseñas
Atributos
EstándarTipo de montaje
-FET característica
TO-236ABPAQUETE/cubierta
MOSFET P-CH 20V 2A TO236ABDescripción
BSH205G2RNúmero de pieza del fabricante
OriginalMarca
Lugar del origen:China
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Serie:-
Código de fecha de fabricación:NUEVO
FET tipo:P-Channel
Tensión de drenador a fuente (Vdss):20 V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C:2A (Ta)
Rds (Max) @ Id Vgs:170mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id:950mV @ 250µA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs:6.5 nC @ 4.5 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds):418 pF @ 10 V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds):4.5V
Vgs (Max):±8V
Tipo de montaje:Montaje superficial
Embalaje:Tape & Reel (TR), cinta cortada (CT), Digi-Reel
Tipo de FET:Canal P
Tecnología:MOSFET (Óxido Metálico)
Características clave
Tipo de montaje
Estándar
FET característica
-
PAQUETE/cubierta
TO-236AB
Descripción
MOSFET P-CH 20V 2A TO236AB
Número de pieza del fabricante
BSH205G2R
Marca
Original
Lugar del origen
China
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Serie
-
Código de fecha de fabricación
NUEVO
FET tipo
P-Channel
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
20 V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
2A (Ta)
Rds (Max) @ Id Vgs
170mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
950mV @ 250µA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
6.5 nC @ 4.5 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
418 pF @ 10 V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
4.5V
Vgs (Max)
±8V
Tipo de montaje
Montaje superficial
Embalaje
Tape & Reel (TR), cinta cortada (CT), Digi-Reel
Tipo de FET
Canal P
Tecnología
MOSFET (Óxido Metálico)
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
Advertencia/Descargo de responsabilidad
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EUR 0.2717
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