Componente de Chip Electrónico de Memoria Original SM662GXB-BESS 100 LBGA
Componente de Chip Electrónico de Memoria Original SM662GXB-BESS 100 LBGASin reseñas
Atributos
Componente y PiezaTipo
80 gigabitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
BandejaTipo de embajaje
MemoriaAplicación
Componentes ElectrónicosCaracterísticas
Tipo de memoria:No volátil
La tecnología:FLASH - NAND (SLC)
-Tensión de alimentación:-
Frecuencia de reloj:-
Organización de la memoria:10G por 8
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de Memoria:eMMC
Características clave
Tipo
Componente y Pieza
Tamaño de la memoria
80 gigabits
Lugar del origen
China
Tipo de embajaje
Bandeja
Aplicación
Memoria
Características
Componentes Electrónicos
Tipo de memoria
No volátil
La tecnología
FLASH - NAND (SLC)
-Tensión de alimentación
-
Frecuencia de reloj
-
Organización de la memoria
10G por 8
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
-
Interfaz de Memoria
eMMC
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidoresVer más
Devolución fácil
1 - 3,000 unidades
EUR 827
>= 3,001 unidades
EUR 414
Variantes
ElegirEspecificación
SM662GXB sin batería
Envío
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