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Transistor IGBT Mosfet Original TO-3P DIP 40N60 40N60NPFDPN SGT40N60NPFDPN, Circuito Integrado, Componentes Electrónicos

Sin reseñas
EUR 0.0906
Cantidad mínima de compra: 10 unidades
Características
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PCBA (Pedido mínimo: 1 unidad)
Por SMT (Pedido mínimo: 1 unidad)
PCB (Pedido mínimo: 1 unidad)
Más de 1 opciones

Características principales

Número de pieza del fabricante

SGT40N60NPFDPN

Tipo

Transistor

Marca

Original

Descripción

TO-3P-3 IGBTs Individuales RoHS

Lugar del origen

Other

PAQUETE/cubierta

TO-3P

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Características clave

Número de pieza del fabricante
SGT40N60NPFDPN
Tipo
Transistor
Marca
Original
Descripción
TO-3P-3 IGBTs Individuales RoHS
Lugar del origen
Original
PAQUETE/cubierta
TO-3P
Temperatura de funcionamiento
-65°C ~ 150°C (TJ)
Código de fecha de fabricación
/
Corriente de colector (Ic) (máx.)
80A
Tensión de ruptura colector-emisor (máx.)
600V
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
/
Corriente de colector de corte (Max)
/
Poder-Max
-
Corriente nominal (en amperios)
100mA
Tipo de montaje
Through Hole
Tipo de montaje
Orificio pasante

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual

Tiempo de entrega

Opciones de personalización

PCBA(+ desde /Pedido mínimo: 1 unidad)
Por SMT(+ desde /Pedido mínimo: 1 unidad)
PCB(+ desde /Pedido mínimo: 1 unidad)
BOM(+ desde /Pedido mínimo: 1 unidad)
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