Original Transistors Module GCMX040A120B2B1P 1200V, 40M SIC MOSFET HALF BRIDG Components Electronic
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Atributos
GCMX040A120B2B1PNúmero de Modelo
Montaje del chasisTipo de montaje
ChinaLugar del origen
OriginalMarca
FETs, MOSFETsAplicación funcional
ModulePackage / Case
Description:1200V, 40M SIC MOSFET HALF BRIDG
Package:Box
Technology:Silicon Carbide (SiC)
Configuration:2 N-Channel (Half Bridge)
Características clave
Número de Modelo
GCMX040A120B2B1P
Tipo de montaje
Montaje del chasis
Lugar del origen
China
Marca
Original
Aplicación funcional
FETs, MOSFETs
Package / Case
Module
Description
1200V, 40M SIC MOSFET HALF BRIDG
Package
Box
Technology
Silicon Carbide (SiC)
Configuration
2 N-Channel (Half Bridge)
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
100 - 3,099 unidades
EUR 1952
>= 3,100 unidades
EUR 976
Variantes
ElegirCaracterísticas
GCMX040A120B2B1P
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