Huiyuan Industrial International Limited

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PG-HSOF-8-3 Transistors Electronic Components Manufacturer Authorized Distributor IGT60R190D1SATMA1

Sin reseñas

EUR 1.74

100-3,099 unidades

EUR 0.8702

≥3,100 unidades

Características

Características principales

Número de Modelo

IGT60R190D1SATMA1

Tipo de montaje

Montaje superficial

Lugar del origen

China

Marca

Original

Aplicación funcional

FETs, MOSFETs

Package / Case

PG-HSOF-8-3

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Características clave

Número de Modelo

IGT60R190D1SATMA1

Tipo de montaje

Montaje superficial

Lugar del origen

China

Marca

Original

Aplicación funcional

FETs, MOSFETs

Package / Case

PG-HSOF-8-3

Description

GANFET N-CH 600V 12.5A 8HSOF

Package

Tape & Reel (TR)

FET Type

N-Channel

Technology

GaNFET (Gallium Nitride)

Empaque y entrega

Unidades de venta

Artículo individual

Tamaño del paquete

1X1X1 cm

Peso bruto

0.1 kg

Tiempo de entrega

Descripción de producto del proveedor

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