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POWERDI3333-8 DMP3017SFGQ-13 Transistores Componentes Electrónicos Originales Servicio Integral

Sin reseñas
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100-3,099 unidades
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≥3,100 unidades

Cantidad

Características principales

Número de pieza del fabricante

DMP3017SFGQ-13

Marca

Original

Descripción

MOSFET P-CH 30V 11.5A PWRDI3333

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

POWERDI3333-8

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Características clave

Número de pieza del fabricante
DMP3017SFGQ-13
Marca
Original
Descripción
MOSFET P-CH 30V 11.5A PWRDI3333
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
POWERDI3333-8
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Serie
-
Código de fecha de fabricación
NUEVO
FET tipo
P-Channel
FET característica
-
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
30 V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
11.5A (Ta)
Rds (Max) @ Id Vgs
10mOhm @ 11.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
41 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
2246 pF @ 15 V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
4.5V, 10V
Vgs (Max)
±25V
Tipo de montaje
Montaje superficial
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Tipo de FET
Canal P
Tecnología
MOSFET (Óxido Metálico)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.1 kg

Tiempo de entrega

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