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Power Module Original Discrete Semiconductor Products PP100B120 Buy Online Electronic Components IGBT ASSY H-BRIDGE 1200V 100A

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Atributos

StandardTipo de montaje
Discrete SemiconductorAplicación funcional
PP100B120Número de Modelo
ChinaLugar del origen
OriginalMarca
Power ModulePackage / Case
Description:IGBT ASSY H-BRIDGE 1200V 100A
Package:Bulk
Type:IGBT
Configuration:H-Bridge Inverter
Current:100 A
Voltage - Isolation:2500VDC

Características clave

Tipo de montaje
Standard
Aplicación funcional
Discrete Semiconductor
Número de Modelo
PP100B120
Lugar del origen
China
Marca
Original
Package / Case
Power Module
Description
IGBT ASSY H-BRIDGE 1200V 100A
Package
Bulk
Type
IGBT
Configuration
H-Bridge Inverter
Current
100 A
Voltage - Isolation
2500VDC

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg

Tiempo de entrega

Descripción de producto del proveedor

100 - 3,099 unidades
EUR 1,11312
>= 3,100 unidades
EUR 55656

Variantes

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Características

PP100B120

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