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Transistor NPN MMBT2222ALT1G Premium, Circuito Integrado SMD, Semiconductor de Alta Velocidad para Circuitos de Conmutación y Amplificación

Sin reseñas
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100-999 unidades
EUR 0.0724
1,000-11,999 unidades
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≥12,000 unidades
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Características principales

Número de pieza del fabricante

MMBT2222ALT1G

Tipo

Transistor Bipolar

Marca

Original

Tipo de paquete

Montaje superficial

Descripción

Original MMBT2222ALT1G NPN 1P

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Características clave

Número de pieza del fabricante
MMBT2222ALT1G
Tipo
Transistor Bipolar
Marca
Original
Tipo de paquete
Montaje superficial
Descripción
Original MMBT2222ALT1G NPN 1P
Lugar del origen
TAIWAN
PAQUETE/cubierta
Original
Temperatura de funcionamiento
-40-85C
Serie
Diodo
Código de fecha de fabricación
Más reciente
Uso
Propósito general
Tipo de Proveedor
Fabricante original
Los medios disponibles
/
Tensión de ruptura colector-emisor (máx.)
/
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
/
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
/
Resistencia Base (R1)
/
Resistencia-emisor Base (R2)
/
FET característica
/
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
/
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
/
Rds (Max) @ Id Vgs
/
Vgs (th) (Max) @ Id
/
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
/

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
17X17X8 cm
Peso bruto
0.5 kg

Tiempo de entrega

Descripción de producto del proveedor

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