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R1EV58064BSCRBI # Memoria B2 28 SOlC, Compre en Línea Componentes Electrónicos Originales, Servicio Integral

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Atributos

R1EV58064BSCRBI#B2Número de Modelo
Montaje superficialTipo de montaje
ChinaLugar del origen
OriginalMarca
MemoriaAplicación funcional
28 SOIC (0,330", 8,40 mm de ancho)Empaque
Serie:Memoria
describir:Circuito integrado EEPROM 64KBIT PARALELO 28SOP
Organización de Memoria:8K por 8
Interfaz de Memoria:Paralelo
Frecuencia del Reloj:-
Tiempo de Acceso:100 nanos

Características clave

Número de Modelo
R1EV58064BSCRBI#B2
Tipo de montaje
Montaje superficial
Lugar del origen
China
Marca
Original
Aplicación funcional
Memoria
Empaque
28 SOIC (0,330", 8,40 mm de ancho)
Serie
Memoria
describir
Circuito integrado EEPROM 64KBIT PARALELO 28SOP
Organización de Memoria
8K por 8
Interfaz de Memoria
Paralelo
Frecuencia del Reloj
-
Tiempo de Acceso
100 nanos

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg

Tiempo de entrega

Descripciónes de los productos del proveedor

100 - 3099 unidades
EUR 0.5191
>= 3100 unidades
EUR 0.2596

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