Atributos
RD15HVF1Número de Modelo
FET de puente de mosTipo
OriginalMarca
Agujero de labranzaTipo de paquete
Componente MOSFET de potencia de canal N de alto voltajeDescripción
OriginalLugar del origen
PAQUETE/cubierta:PARA-220
Temperatura de funcionamiento:/
Serie:RD15HF1
d/c:/
Uso:Estándar
Tipo de Proveedor:/
Los medios disponibles:/
-Tensión de ruptura colector-emisor (Max):/
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic:/
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce:/
Poder-Max:Estándar
-Frecuencia de transición:/
Tipo de Montaje:A través del agujero
Resistencia Base (R1):/
Resistencia-emisor Base (R2):/
FET tipo:/
FET característica:/
Tensión de drenador a fuente (Vdss):/
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C:/
Rds (Max) @ Id Vgs:/
Vgs (th) (Max) @ Id:/
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs:/
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds):/
Frecuencia:/
Corriente nominal (en amperios):/
Ruido:/
Potencia de salida:/
-Tensión nominal:/
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds):/
Vgs (Max):/
Tipo IGBT de:/
Configuración:Estándar
Vce (on) (Max) @ Vge Ic:/
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce:/
De entrada:Estándar
Termistor NTC:/
-Tensión de distribución (V (BR) GSS):/
Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0):/
Corriente de drenaje (Id).:/
-Tensión de corte (VGS) @ Id:/
Resistencia-On (RDS):/
Tensión de salida-salida:/
-Tensión Offset (Vt):/
Actual-puerta a ánodo fugas (Igao):/
Corriente de Valle Iv):/
Corriente de pico:/
Tipo de Transistor:Transistor MOSFET
Tipo de montaje:A través del agujero
