RF MOSFET LDMOS 28V NI780 Transistors Ic Electronic Component Chip Integrated Circuit A2T18S160W31SR3 NI-780S-2L2LA In Stock
RF MOSFET LDMOS 28V NI780 Transistors Ic Electronic Component Chip Integrated Circuit A2T18S160W31SR3 NI-780S-2L2LA In StockSin reseñas
Atributos
Montaje superficialTipo de montaje
FETs, MOSFETsAplicación funcional
A2T18S160W31SR3Número de Modelo
ChinaLugar del origen
OriginalMarca
NI-780S-2L2LAPackage / Case
Description:RF MOSFET LDMOS 28V NI780
Package:Tape & Reel (TR)
Technology:LDMOS
Configuration:-
Frequency:1.88GHz
Gain:19.9dB
Características clave
Tipo de montaje
Montaje superficial
Aplicación funcional
FETs, MOSFETs
Número de Modelo
A2T18S160W31SR3
Lugar del origen
China
Marca
Original
Package / Case
NI-780S-2L2LA
Description
RF MOSFET LDMOS 28V NI780
Package
Tape & Reel (TR)
Technology
LDMOS
Configuration
-
Frequency
1.88GHz
Gain
19.9dB
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Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg
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A2T18S160W31SR3
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