Atributos
SI2328Número de Modelo
MOSFETTipo
SEPMarca
Montaje superficialTipo de paquete
StandardDescripción
Guangdong, ChinaLugar del origen
PAQUETE/cubierta:Sot-23
Temperatura de funcionamiento:-55°C~150°C
d/c:New
Tipo de Proveedor:Original manufacturer
Referencia cruzada:-
Los medios disponibles:Datasheet
Corriente de colector (Ic) (máx.):-
-Tensión de ruptura colector-emisor (Max):-
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic:-
Corriente de colector de corte (Max):-
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce:-
Poder-Max:1.4 W
-Frecuencia de transición:-
Tipo de Montaje:Montaje superficial
Resistencia Base (R1):-
Resistencia-emisor Base (R2):-
FET tipo:P-Channel
FET característica:-
Tensión de drenador a fuente (Vdss):-30 V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C:-4.2 A
Rds (Max) @ Id Vgs:75 mΩ @ Vgs=-10V, Id=-4.2A
Vgs (th) (Max) @ Id:-0.8 V to -2.0 V @ Id=-250nA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs:15 nC @ Vgs=4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds):555 pF @ Vds=15V
Frecuencia:-
Corriente nominal (en amperios):-4.2 A
Ruido:-
Potencia de salida:-
-Tensión nominal:-30 V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds):-4.5 V / -10 V
Vgs (Max):±12 V
Tipo IGBT de:Mosfet
Configuración:SOLO
Vce (on) (Max) @ Vge Ic:-
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce:-
De entrada:-
Termistor NTC:-
-Tensión de distribución (V (BR) GSS):±12 V
Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0):±1nA @ Vds=±30V
Corriente de drenaje (Id).:-4.2 A
-Tensión de corte (VGS) @ Id:-0.8 V to -2.0 V @ Id=-250nA
Resistencia-On (RDS):75 mΩ @ Vgs=-10V, Id=-4.2A
Tensión de salida-salida:-
-Tensión Offset (Vt):-0.8 V to -2.0 V
Actual-puerta a ánodo fugas (Igao):±100 nA @ Vgs=±12V
Corriente de Valle Iv):-
Corriente de pico:-4.2 A
Tipo de Transistor:P-Channel
Tipo de montaje:Surface mount
