find similar
4.8/5(25)
Calificación de la tienda
≤2h
Tiempo de respuesta
≥98%
Tasa de entregas a tiempo
9%
Tasa de recompra

Principales mercados: India, Canadá, Estados Unidos de América, Bahrein, Emiratos Árabes Unidos

Transistor IGBT SL 60N60FD1 60A/600V SGT60N60FD1PN 60N60 con Baja Pérdida de Conducción, Alta Velocidad de Conmutación y Alta Impedancia de Entrada

Sin reseñas140 vendido/s
Menores precios en 180 días
EUR 0.8912
10-119 unidades
EUR 0.8734
≥120 unidades
Características

Características principales

Número de pieza del fabricante

SGT60N60FD1

Tipo

IGBT Transistor

Marca

SL

Tipo de paquete

Montaje superficial

Descripción

IGBT 60N60FD1 Transistor 60A/600V, SGT60N60FD1

Lugar del origen

Guangdong, China

Más análisis e investigación sobre este producto
Calcular el costo y el margen
Shipping
Select shipping

Protección de pedidos de Alibaba.com

Pagos seguros

Todos tus pagos realizados en Alibaba.com están protegidos por cifrado SSL y protocolos de protección de datos PCI DSS

Entrega vía

Espera que tu pedido sea entregado antes de las fechas programadas o recibe una compensación del 5% por retraso

Devoluciones fáciles

Realiza devoluciones locales gratuitas por defectos en compras elegibles

Garantía de devolución de dinero

Solicita un reembolso si tu pedido no se envía, no llega o hay defectos en el producto

Pagos y financiación

4 pagos sin intereses con

Características clave

Número de pieza del fabricante
SGT60N60FD1
Tipo
IGBT Transistor
Marca
SL
Tipo de paquete
Montaje superficial
Descripción
IGBT 60N60FD1 Transistor 60A/600V, SGT60N60FD1
Lugar del origen
Guangdong, China
PAQUETE/cubierta
TO-3P
Temperatura de funcionamiento
Nulo
Serie
Nulo
Código de fecha de fabricación
Más reciente
Uso
Propósito general
Tipo de Proveedor
Agencia
Referencia cruzada
NJW0302 NJW0281
Los medios disponibles
Hoja de Datos, Foto
Corriente de colector (Ic) (máx.)
Nulo
Tensión de ruptura colector-emisor (máx.)
Nulo
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
Nulo
Corriente de colector de corte (Max)
Nulo
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
Nulo
Poder-Max
Nulo
-Frecuencia de transición
Nulo
Resistencia Base (R1)
Nulo
Resistencia-emisor Base (R2)
Nulo
FET tipo
Nulo
FET característica
Estándar
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
Nulo
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
Nulo
Rds (Max) @ Id Vgs
Nulo
Vgs (th) (Max) @ Id
Nulo
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
Nulo
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
Nulo
Frecuencia
Nulo
Corriente nominal (en amperios)
Nulo
Ruido
Nulo
Potencia de salida
Nulo
-Tensión nominal
Nulo
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
Nulo
Vgs (Max)
Nulo
Tipo IGBT de
Nulo
Configuración
Tres inversor de fase
Vce (on) (Max) @ Vge Ic
Nulo
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
Nulo
De entrada
Nulo
Termistor NTC
Nulo
-Tensión de distribución (V (BR) GSS)
Nulo
Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
Nulo
Corriente de drenaje (Id).
Nulo
-Tensión de corte (VGS) @ Id
Nulo
Resistencia-On (RDS)
Nulo
Tensión de salida-salida
Nulo
-Tensión Offset (Vt)
Nulo
Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)
Nulo
Corriente de Valle Iv)
Nulo
Corriente de pico
Nulo
Tipo de Transistor
transistor
Tipo de montaje
Montaje superficial
Precio
Contáctanos para obtener el precio más bajo.
Pago
L/C,D/A,D/P,T/T,Paypal,Western Union,MoneyGram
Serie
igbt

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
3X2X1 cm
Peso bruto
0.01 kg

Tiempo de entrega

Descripción de producto del proveedor

Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidores