





Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
2 terabitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
A granelTipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Circuito Integrado Chip
Tipo de memoria:No volátil
La tecnología:Flash - NAND
-Tensión de alimentación:-
Frecuencia de reloj:-
Organización de la memoria:256G por 8
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de Memoria:eMMC














