Atributos
SN74HC595DRNúmero de Modelo
MOSFETTipo
Original BrandMarca
Agujero de labranzaTipo de paquete
Transistor SN74HC595DR SOP16Descripción
JapanLugar del origen
PAQUETE/cubierta:SOP16
Temperatura de funcionamiento:Estándar
Serie:Estándar
d/c:24 +
Uso:Estándar
Tipo de Proveedor:Minorista
Los medios disponibles:Hoja de Datos
-Tensión de ruptura colector-emisor (Max):--
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic:--
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce:--
Tipo de Montaje:--
Resistencia Base (R1):--
Resistencia-emisor Base (R2):--
FET característica:--
Tensión de drenador a fuente (Vdss):--
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C:--
Rds (Max) @ Id Vgs:--
Vgs (th) (Max) @ Id:--
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs:--
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds):--
Frecuencia:--
Corriente nominal (en amperios):--
Ruido:--
Potencia de salida:--
-Tensión nominal:--
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds):--
Vgs (Max):--
Tipo IGBT de:--
Configuración:--
Vce (on) (Max) @ Vge Ic:--
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce:--
De entrada:--
Termistor NTC:--
-Tensión de distribución (V (BR) GSS):--
Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0):--
Corriente de drenaje (Id).:--
-Tensión de corte (VGS) @ Id:--
Resistencia-On (RDS):--
Tensión de salida-salida:--
-Tensión Offset (Vt):--
Actual-puerta a ánodo fugas (Igao):--
Corriente de Valle Iv):--
Corriente de pico:--
Tipo de Transistor:--
Tipo de montaje:A través del agujero
Paquete:SOP16
Unidades de venta:Artículo individual
Tamaño del paquete:10.0X5.0X5.0 cm
Peso bruto:0.050 kg
