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Componentes Electrónicos SOIC-8, MOSFET N/P-CH 20V 5.2A, Canal N + Canal P, NTMD2C02R2G, Envío Rápido
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≥3,000 unidades
Cantidad
Características principales
Número de Modelo
NTMD2C02R2G
Tipo de montaje
Montaje superficial
Lugar del origen
China
Marca
Original
Aplicación funcional
Canal N + Canal P
Embalaje
8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho), Tape & Reel (TR), a granel
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Características clave
Número de Modelo
NTMD2C02R2G
Tipo de montaje
Montaje superficial
Lugar del origen
China
Marca
Original
Aplicación funcional
Canal N + Canal P
Embalaje
8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho), Tape & Reel (TR), a granel
tipo4
FET, Matrices de MOSFET
Descripción
MOSFET N/P-CH 20V 5.2A 8SOIC
Tecnología
MOSFET (Óxido Metálico)
Configuración
Canal N y P
Característica FET
Puerta de nivel lógico
Tensión drenador-fuente (Vdss)
20V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25C
5.2A, 3.4A
Rds On (máx.) en Id, Vgs
43mOhm a 4A, 4.5V
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.1 kg