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SP010N01BGHTO SP010N01 Transistor MOSFET, Circuito Integrado de Conmutación de Potencia, Chip SP010N01BGHTO

Sin reseñas
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SP010N01BGHTO

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Chip de circuito integrado de conmutación de potencia de transistor MOSFET

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Características clave

Número de pieza del fabricante
SP010N01BGHTO
Tipo
MOSFET
Marca
Original
Tipo de paquete
Estándar
Descripción
Chip de circuito integrado de conmutación de potencia de transistor MOSFET
Lugar del origen
Original
PAQUETE/cubierta
PEAJE-8L
Temperatura de funcionamiento
/
Serie
SP010N01BGHTO
Código de fecha de fabricación
22+
Uso
Transistor MOSFET
Tipo de Proveedor
/
Referencia cruzada
/
Los medios disponibles
/
Corriente de colector (Ic) (máx.)
/
Tensión de ruptura colector-emisor (máx.)
/
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
/
Corriente de colector de corte (Max)
/
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
/
Poder-Max
/
-Frecuencia de transición
/
Resistencia Base (R1)
/
Resistencia-emisor Base (R2)
/
FET tipo
/
FET característica
/
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
/
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
/
Rds (Max) @ Id Vgs
/
Vgs (th) (Max) @ Id
/
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
/
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
/
Frecuencia
/
Corriente nominal (en amperios)
/
Ruido
/
Potencia de salida
/
-Tensión nominal
/
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
/
Vgs (Max)
/
Tipo IGBT de
/
Configuración
/
Vce (on) (Max) @ Vge Ic
/
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
/
De entrada
/
Termistor NTC
/
-Tensión de distribución (V (BR) GSS)
/
Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
/
Corriente de drenaje (Id).
/
-Tensión de corte (VGS) @ Id
/
Resistencia-On (RDS)
/
Tensión de salida-salida
/
-Tensión Offset (Vt)
/
Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)
/
Corriente de Valle Iv)
/
Corriente de pico
/
Tipo de Transistor
/
Tipo de montaje
/

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