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Transistores SP6 APTM50DHM38G, Compre Componentes Electrónicos en Línea, Canal del Fabricante

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Cantidad

Características principales

Número de pieza del fabricante

APTM50DHM38G

Marca

Original

Descripción

MOSFET 2N-CH 500V 90A SP6

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

SP6

Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 150°C (TJ)

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Características clave

Número de pieza del fabricante
APTM50DHM38G
Marca
Original
Descripción
MOSFET 2N-CH 500V 90A SP6
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
SP6
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Serie
-
Código de fecha de fabricación
NUEVO
Poder-Max
694W
FET característica
-
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
500V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
90A
Rds (Max) @ Id Vgs
45mOhm @ 45A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
5V @ 5mA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
246nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
11200pF @ 25V
Configuración
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Tipo de montaje
Montaje del chasis
Embalaje
A granel
Tecnología
MOSFET (Óxido Metálico)
Configuración
2 Canales N (Doble) Asimétricos

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.1 kg

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