SPP03N60C3XKSA1 Transistors Electronic Components Production Line LOW POWER_LEGACY BOM IC In Stock PG-TO220-3-1
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Atributos
A través del agujeroTipo de montaje
FETs, MOSFETsAplicación funcional
SPP03N60C3XKSA1Número de Modelo
ChinaLugar del origen
OriginalMarca
PG-TO220-3-1Package / Case
Description:LOW POWER_LEGACY
Package:Tube,Tube
FET Type:N-Channel
Technology:MOSFET (Metal Oxide)
Características clave
Tipo de montaje
A través del agujero
Aplicación funcional
FETs, MOSFETs
Número de Modelo
SPP03N60C3XKSA1
Lugar del origen
China
Marca
Original
Package / Case
PG-TO220-3-1
Description
LOW POWER_LEGACY
Package
Tube,Tube
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
100 - 3,099 unidades
EUR 0.162
>= 3,100 unidades
EUR 0.0853
Variantes
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SPP03N60C3XKSA1
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