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SSB80R240S SSB80R240 MOSFET de Alta Potencia | Resistencia de Chip de 240 Ohmios y 80W, Encapsulado TO-263, A215

Sin reseñas
EUR127-509
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Características

SSB80R240S

Características principales

Número de pieza del fabricante

SSB80R240S

Tipo

MOSFET

Marca

Original

Tipo de paquete

Agujero de labranza

Descripción

240Ω 80W Surface Mount Chip Resistor

Lugar del origen

Other

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Características clave

Número de pieza del fabricante
SSB80R240S
Tipo
MOSFET
Marca
Original
Tipo de paquete
Agujero de labranza
Descripción
240Ω 80W Surface Mount Chip Resistor
Lugar del origen
Original
PAQUETE/cubierta
TO-263
Temperatura de funcionamiento
-55℃~+150℃
Serie
SSB80R240S
Código de fecha de fabricación
/
Uso
/
Tipo de Proveedor
Other
Los medios disponibles
Other
Tensión de ruptura colector-emisor (máx.)
/
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
/
Corriente de colector de corte (Max)
/
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
/
Poder-Max
/
-Frecuencia de transición
/
Resistencia Base (R1)
/
Resistencia-emisor Base (R2)
/
FET característica
/
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
/
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
/
Rds (Max) @ Id Vgs
/
Vgs (th) (Max) @ Id
/
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
/
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
/
Frecuencia
/
Corriente nominal (en amperios)
/
Ruido
/
Potencia de salida
/
-Tensión nominal
/
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
/
Vgs (Max)
/
Tipo IGBT de
/
Configuración
/
Vce (on) (Max) @ Vge Ic
/
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
/
De entrada
/
Termistor NTC
/
-Tensión de distribución (V (BR) GSS)
/
Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
/
Corriente de drenaje (Id).
/
-Tensión de corte (VGS) @ Id
/
Resistencia-On (RDS)
/
Tensión de salida-salida
/
-Tensión Offset (Vt)
/
Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)
/
Corriente de Valle Iv)
/
Corriente de pico
/
Tipo de Transistor
MOSFET
Tipo de montaje
A través del agujero

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