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SST25VF020B-80-4I-QAE-T 8 WDFN Memoria de Placa Expuesta, Compre en Línea Componentes Electrónicos Originales, Servicio Integral

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Atributos

Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
2 MbitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Cinta y carrete (TR), cinta cortada (CT)Tipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Circuitos Integrados
Tipo de memoria:No volátil
La tecnología:destello
-Tensión de alimentación:2,7 V ~ 3,6 V
Frecuencia de reloj:80 megahercios
Organización de la memoria:256K por 8
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:10 micros
Interfaz de Memoria:interfaz serie

Características clave

Tipo
Componente y Pieza
Código de fecha de fabricación
Nuevo
Tamaño de la memoria
2 Mbits
Lugar del origen
China
Tipo de embajaje
Cinta y carrete (TR), cinta cortada (CT)
Aplicación
Memoria
Características
Circuitos Integrados
Tipo de memoria
No volátil
La tecnología
destello
-Tensión de alimentación
2,7 V ~ 3,6 V
Frecuencia de reloj
80 megahercios
Organización de la memoria
256K por 8
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
10 micros
Interfaz de Memoria
interfaz serie

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg

Tiempo de entrega

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Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidores
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