Transistor MOSFET de Canal N STP20NM60FD, Chip Electrónico de Alta Potencia, Componente de Montaje a Través de Orificio STP20NM60FD
Puntuación de la tienda:
4.6
(193 reseñas)
Atributos
MOSFETTipo
/Uso
Agujero de labranzaTipo de paquete
A través del agujeroTipo de montaje
/FET característica
/Configuración
Los medios disponibles:/
Tipo de Proveedor:/
Poder-Max:/
PAQUETE/cubierta:PARA-220
Descripción:Componente de orificio pasante de chip electrónico de potencia de alto voltaje
Número de pieza del fabricante:STP20NM60FD
Marca:Original
Lugar del origen:Original
Temperatura de funcionamiento:/
Serie:STP20NM60FD STP20NM60FD STP20NM60FD
Código de fecha de fabricación:/
Referencia cruzada:/
Corriente de colector (Ic) (máx.):/
Tensión de ruptura colector-emisor (máx.):/
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic:/
Corriente de colector de corte (Max):/
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce:/
-Frecuencia de transición:/
Resistencia Base (R1):/
Resistencia-emisor Base (R2):/
FET tipo:/
Tensión de drenador a fuente (Vdss):/
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C:/
Rds (Max) @ Id Vgs:/
Vgs (th) (Max) @ Id:/
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs:/
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds):/
Frecuencia:/
Corriente nominal (en amperios):/
Ruido:/
Potencia de salida:/
-Tensión nominal:/
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds):/
Vgs (Max):/
Tipo IGBT de:/
Vce (on) (Max) @ Vge Ic:/
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce:/
De entrada:/
Termistor NTC:/
-Tensión de distribución (V (BR) GSS):/
Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0):/
Corriente de drenaje (Id).:/
-Tensión de corte (VGS) @ Id:/
Resistencia-On (RDS):/
Tensión de salida-salida:/
-Tensión Offset (Vt):/
Actual-puerta a ánodo fugas (Igao):/
Corriente de Valle Iv):/
Corriente de pico:/
Tipo de Transistor:Transistor MOSFET de Canal N
Características clave
Tipo
MOSFET
Uso
/
Tipo de paquete
Agujero de labranza
Tipo de montaje
A través del agujero
FET característica
/
Configuración
/
Los medios disponibles
/
Tipo de Proveedor
/
Poder-Max
/
PAQUETE/cubierta
PARA-220
Descripción
Componente de orificio pasante de chip electrónico de potencia de alto voltaje
Número de pieza del fabricante
STP20NM60FD
Marca
Original
Lugar del origen
Original
Temperatura de funcionamiento
/
Serie
STP20NM60FD STP20NM60FD STP20NM60FD
Código de fecha de fabricación
/
Referencia cruzada
/
Corriente de colector (Ic) (máx.)
/
Tensión de ruptura colector-emisor (máx.)
/
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
/
Corriente de colector de corte (Max)
/
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
/
-Frecuencia de transición
/
Resistencia Base (R1)
/
Resistencia-emisor Base (R2)
/
FET tipo
/
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
/
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
/
Rds (Max) @ Id Vgs
/
Vgs (th) (Max) @ Id
/
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
/
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
/
Frecuencia
/
Corriente nominal (en amperios)
/
Ruido
/
Potencia de salida
/
-Tensión nominal
/
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
/
Vgs (Max)
/
Tipo IGBT de
/
Vce (on) (Max) @ Vge Ic
/
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
/
De entrada
/
Termistor NTC
/
-Tensión de distribución (V (BR) GSS)
/
Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
/
Corriente de drenaje (Id).
/
-Tensión de corte (VGS) @ Id
/
Resistencia-On (RDS)
/
Tensión de salida-salida
/
-Tensión Offset (Vt)
/
Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)
/
Corriente de Valle Iv)
/
Corriente de pico
/
Tipo de Transistor
Transistor MOSFET de Canal N
Tipo de montaje
A través del agujero
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
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Descripción de producto del proveedor
Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidoresVer más
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