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Chip de Memoria Flash Samsung K9F1G08U0D, Paquete BGA, Interfaz LVTTL, Memoria Volátil

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EUR398
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bandeja

Interfaz de memoria

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1

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Características principales

Descripción

Chip de memoria flash Samsung K9F1G08U0D-SIB0

Función

Memoria Flash

PAQUETE/cubierta

BGA

Tipo de memoria

VOLÁTIL

La tecnología

DRAM

Tensión mínima de alimentación

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Características clave

Descripción
Chip de memoria flash Samsung K9F1G08U0D-SIB0
Función
Memoria Flash
PAQUETE/cubierta
BGA
Tipo de memoria
VOLÁTIL
La tecnología
DRAM
Tensión mínima de alimentación
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Tipo de interfaz
Interfaz LVTTL
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Artículo individual
Un solo volumen
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Peso bruto
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