Atributos
TL431ANúmero de Modelo
MOSFET, circuito integradoTipo
OriginalMarca
Agujero de labranzaTipo de paquete
EstándarDescripción
Guangdong, ChinaLugar del origen
PAQUETE/cubierta:--
Temperatura de funcionamiento:--
d/c:--
Uso:No aplicable
Tipo de Proveedor:Fabricante original
Los medios disponibles:Hoja de Datos
Corriente de colector (Ic) (máx.):--
-Tensión de ruptura colector-emisor (Max):--
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic:--
Corriente de colector de corte (Max):--
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce:--
Poder-Max:--
-Frecuencia de transición:--
Tipo de Montaje:A través del agujero, estándar
Resistencia Base (R1):--
Resistencia-emisor Base (R2):--
FET tipo:--
FET característica:No aplicable
Tensión de drenador a fuente (Vdss):--
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C:--
Rds (Max) @ Id Vgs:--
Vgs (th) (Max) @ Id:--
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs:--
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds):--
Frecuencia:--
Corriente nominal (en amperios):--
Ruido:--
Potencia de salida:--
-Tensión nominal:--
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds):--
Vgs (Max):--
Tipo IGBT de:--
Configuración:No aplicable
Vce (on) (Max) @ Vge Ic:--
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce:--
De entrada:--
Termistor NTC:--
-Tensión de distribución (V (BR) GSS):--
Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0):--
Corriente de drenaje (Id).:--
-Tensión de corte (VGS) @ Id:--
Resistencia-On (RDS):--
Tensión de salida-salida:--
-Tensión Offset (Vt):--
Actual-puerta a ánodo fugas (Igao):--
Corriente de Valle Iv):--
Corriente de pico:--
Tiempo de plomo:1-3 días laborables
Especificaciones:Contacto con nosotros
