Transistor de efecto de campo de señal pequeña FDS6930B
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Atributos
Por SMTTipo
FDS6930BNúmero de Modelo
SMDPAQUETE/cubierta
OrdenadorAplicación
EstándarCaracterísticas
Transistor de Efecto de Campo de Señal Pequeña, 5.5A, 30V, 2 Elementos, Canal N, MOSFETDescripción
Marca:brand new
Lugar del origen:Japan
Tipo de embajaje:Cinta y carrete
Referencia cruzada:Estándar
P/N:FDS6930B
Desription3:SMD
Desription4:SOIC
Ficha de datos:Contacto con nosotros
Características clave
Tipo
Por SMT
Número de Modelo
FDS6930B
PAQUETE/cubierta
SMD
Aplicación
Ordenador
Características
Estándar
Descripción
Transistor de Efecto de Campo de Señal Pequeña, 5.5A, 30V, 2 Elementos, Canal N, MOSFET
Marca
brand new
Lugar del origen
Japan
Tipo de embajaje
Cinta y carrete
Referencia cruzada
Estándar
P/N
FDS6930B
Desription3
SMD
Desription4
SOIC
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