Unidad de Estado Sólido para SAMSUNG MZ-V8V500BW 500GB SSD 980 NVMe M.2 PCIe Gen 3.0 X4 3-bit MLC HMB AES Encriptación de 256 bits
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Xiawei (shenzhen) Computer Technology Co., Ltd.
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Atributos
InternoTipo
ssdEstilo
EscritorioUso
"2,5"""Talla
SATATipo de interfaz
500GB - 750GBCapacidad HDD
Velocidad de lectura:601-700 MB/S
Velocidad de escritura:601-700 MB/S
Velocidad:15000R/MIN
Caché:8MB
Estado del producto:Nuevo
Marca:OEM
Promedio Seek tiempo:2.0 ms
Interfaz ritmo cardíaco:12 Gb/s
Número de HD:1 unid
Condición del artículo:Nuevo
Material del armazón:Metal
Tiene fuente de alimentación externa:No
Puerto de expansión:SATA
Privado molde:NO
Peso ( incluyendo el paquete ):82 g
Solo disco capacidad:1000 GB
Wireless:Sí
Paquete:Sí
Nivel de ruido:600 MB/S
Lugar del origen:Guangdong, China
Número de Modelo:MZ-V8V500BW
aplicar:PC del cliente, consola de juegos
forma:M.2 (2280)
interfaz:PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 2.0
Memoria flash NAND:PARA SAMSUNG V-NAND MLC de 3 bits
controlador:PARA el controlador de desarrollo propio de SAMSUNG
caché:PARA la SDRAM DDR4 de bajo consumo de 1 GB de SAMSUNG
Lectura secuencial:Hasta 7.450 MB/s
Escritura secuencial:Hasta 6.900 MB/s
Consumo de energía promedio (nivel del sistema):* Promedio: 5.4W * Máx: 7.8W
Tensión admisible:3,3 V ± 5 % de tensión admisible
Características clave
Tipo
Interno
Estilo
ssd
Uso
Escritorio
Talla
"2,5"""
Tipo de interfaz
SATA
Capacidad HDD
500GB - 750GB
Velocidad de lectura
601-700 MB/S
Velocidad de escritura
601-700 MB/S
Velocidad
15000R/MIN
Caché
8MB
Estado del producto
Nuevo
Marca
OEM
Promedio Seek tiempo
2.0 ms
Interfaz ritmo cardíaco
12 Gb/s
Número de HD
1 unid
Condición del artículo
Nuevo
Material del armazón
Metal
Tiene fuente de alimentación externa
No
Puerto de expansión
SATA
Privado molde
NO
Peso ( incluyendo el paquete )
82 g
Solo disco capacidad
1000 GB
Wireless
Sí
Paquete
Sí
Nivel de ruido
600 MB/S
Lugar del origen
Guangdong, China
Número de Modelo
MZ-V8V500BW
aplicar
PC del cliente, consola de juegos
forma
M.2 (2280)
interfaz
PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 2.0
Memoria flash NAND
PARA SAMSUNG V-NAND MLC de 3 bits
controlador
PARA el controlador de desarrollo propio de SAMSUNG
caché
PARA la SDRAM DDR4 de bajo consumo de 1 GB de SAMSUNG
Lectura secuencial
Hasta 7.450 MB/s
Escritura secuencial
Hasta 6.900 MB/s
Consumo de energía promedio (nivel del sistema)
* Promedio: 5.4W * Máx: 7.8W
Tensión admisible
3,3 V ± 5 % de tensión admisible
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
8.01X2.5X0.8 cm
Peso bruto
0.300 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
Cantidad mínima de compra: 5 unidades
EUR 10509
Variantes
ElegirColor: Negro
Capacidad: 500GB
500GB
Tipo de Almacenamiento
SSD
Envío
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