Unidad de Estado Sólido para SAMSUNG MZ-V8V500BW 500GB SSD 980 NVMe M.2 PCIe Gen 3.0 X4 3-bit MLC HMB AES Encriptación de 256 bits
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Xiawei (shenzhen) Computer Technology Co., Ltd.
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Atributos
InternoTipo
ssdEstilo
EscritorioUso
"2,5"""Talla
SATATipo de interfaz
500GB - 750GBCapacidad HDD
Velocidad de lectura:601-700 MB/S
Velocidad de escritura:601-700 MB/S
Velocidad:15000R/MIN
Caché:8MB
Estado del producto:Nuevo
Marca:OEM
Promedio Seek tiempo:2.0 ms
Interfaz ritmo cardíaco:12 Gb/s
Número de HD:1 unid
Condición del artículo:Nuevo
Material del armazón:Metal
Tiene fuente de alimentación externa:No
Puerto de expansión:SATA
Privado molde:NO
Peso ( incluyendo el paquete ):82 g
Solo disco capacidad:1000 GB
Wireless:Sí
Paquete:Sí
Nivel de ruido:600 MB/S
Lugar del origen:Guangdong, China
Número de Modelo:MZ-V8V500BW
aplicar:PC del cliente, consola de juegos
forma:M.2 (2280)
interfaz:PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 2.0
Memoria flash NAND:PARA SAMSUNG V-NAND MLC de 3 bits
controlador:PARA el controlador de desarrollo propio de SAMSUNG
caché:PARA la SDRAM DDR4 de bajo consumo de 1 GB de SAMSUNG
Lectura secuencial:Hasta 7.450 MB/s
Escritura secuencial:Hasta 6.900 MB/s
Consumo de energía promedio (nivel del sistema):* Promedio: 5.4W * Máx: 7.8W
Tensión admisible:3,3 V ± 5 % de tensión admisible
Características clave
Tipo
Interno
Estilo
ssd
Uso
Escritorio
Talla
"2,5"""
Tipo de interfaz
SATA
Capacidad HDD
500GB - 750GB
Velocidad de lectura
601-700 MB/S
Velocidad de escritura
601-700 MB/S
Velocidad
15000R/MIN
Caché
8MB
Estado del producto
Nuevo
Marca
OEM
Promedio Seek tiempo
2.0 ms
Interfaz ritmo cardíaco
12 Gb/s
Número de HD
1 unid
Condición del artículo
Nuevo
Material del armazón
Metal
Tiene fuente de alimentación externa
No
Puerto de expansión
SATA
Privado molde
NO
Peso ( incluyendo el paquete )
82 g(2.89oz)
Solo disco capacidad
1000 GB
Wireless
Sí
Paquete
Sí
Nivel de ruido
600 MB/S
Lugar del origen
Guangdong, China
Número de Modelo
MZ-V8V500BW
aplicar
PC del cliente, consola de juegos
forma
M.2 (2280)
interfaz
PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 2.0
Memoria flash NAND
PARA SAMSUNG V-NAND MLC de 3 bits
controlador
PARA el controlador de desarrollo propio de SAMSUNG
caché
PARA la SDRAM DDR4 de bajo consumo de 1 GB de SAMSUNG
Lectura secuencial
Hasta 7.450 MB/s
Escritura secuencial
Hasta 6.900 MB/s
Consumo de energía promedio (nivel del sistema)
* Promedio: 5.4W * Máx: 7.8W
Tensión admisible
3,3 V ± 5 % de tensión admisible
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete por lote
8.01X2.5X0.8 cm
Peso bruto por lote
0.300 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
Cantidad mínima de compra: 5 unidades
EUR 10509
Variantes
ElegirColor: Negro
Capacidad: 500GB
500GB
Tipo de Almacenamiento
SSD
Envío
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