Unidad de Estado Sólido para SAMSUNG MZ-V8P1T0BW 1TB 980 PRO NVMe M.2 SSD PCIe Gen 4.0 DDR4 SDRAM con Cifrado AES de 256 bits
Puntuación de la tienda:
4.3
(1374 reseñas)
Atributos
InternoTipo
ssdEstilo
EscritorioAplicación
"2,5"""Tamaño
SATATipo de interfaz
1TBCapacidad del disco duro
Velocidad de lectura:601-700 MB/S
Velocidad de escritura:601-700 MB/S
Velocidad:15000R/MIN
Caché:8MB
Estado del producto:Nuevo
Marca:OEM
Tiempo medio de búsqueda:2.0 ms
Velocidad de interfaz:12 Gb/s
Número de puertos HD:1 unid
Estado del producto:Nuevo
Material de la carcasa:Metal
Cuenta con fuente de alimentación externa:No
Puerto de expansión:SATA
Molde privado:NO
Peso (paquete incluido):82 g
Capacidad de disco individual:1000 GB
Inalámbrico:Sí
Embalaje:Sí
Nivel de ruido:600 MB/S
Lugar de origen:Guangdong, China
Número de modelo:MZ-V8P1T0BW
Aplicar:PC cliente, consola de juegos
Forma:M.2 (2280)
Interfaz:PCIe Gen 4,0x4, NVMe 2,0
Flash NAND:Para Samsung V-NAND 3-bit MLC
Controlador:Para el controlador de desarrollo propio de Samsung
Caché:Para SAMSUNG de 1GB de baja potencia DDR4 SDRAM
Lectura secuencial:Hasta 7.450 MB/s
Escrituras Secuenciales:Hasta 6.900 MB/s
Consumo medio de energía (nivel del sistema):* Promedio: 5,4 W * Max: 7,8 W
Voltaje permisible:3,3 V ± 5% tensión admisible
Características clave
Tipo
Interno
Estilo
ssd
Aplicación
Escritorio
Tamaño
"2,5"""
Tipo de interfaz
SATA
Capacidad del disco duro
1TB
Velocidad de lectura
601-700 MB/S
Velocidad de escritura
601-700 MB/S
Velocidad
15000R/MIN
Caché
8MB
Estado del producto
Nuevo
Marca
OEM
Tiempo medio de búsqueda
2.0 ms
Velocidad de interfaz
12 Gb/s
Número de puertos HD
1 unid
Estado del producto
Nuevo
Material de la carcasa
Metal
Cuenta con fuente de alimentación externa
No
Puerto de expansión
SATA
Molde privado
NO
Peso (paquete incluido)
82 g
Capacidad de disco individual
1000 GB
Inalámbrico
Sí
Embalaje
Sí
Nivel de ruido
600 MB/S
Lugar de origen
Guangdong, China
Número de modelo
MZ-V8P1T0BW
Aplicar
PC cliente, consola de juegos
Forma
M.2 (2280)
Interfaz
PCIe Gen 4,0x4, NVMe 2,0
Flash NAND
Para Samsung V-NAND 3-bit MLC
Controlador
Para el controlador de desarrollo propio de Samsung
Caché
Para SAMSUNG de 1GB de baja potencia DDR4 SDRAM
Lectura secuencial
Hasta 7.450 MB/s
Escrituras Secuenciales
Hasta 6.900 MB/s
Consumo medio de energía (nivel del sistema)
* Promedio: 5,4 W * Max: 7,8 W
Voltaje permisible
3,3 V ± 5% tensión admisible
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete por lote
8.01X2.5X0.8 cm
Tiempo de entrega
Opciones de personalización
新定景类式(+ desde +43,21 €/unidad/Pedido mínimo: 500 unidades)
Ver detalles
Descripción de producto del proveedor
Personalizable
Cantidad mínima de compra: 1 unidad
EUR 8556
Variantes
ElegirColor: Negro
Capacidad: 1TB
1TB
Capacidad de SSD
240G
Opciones de personalización
新定景类式+43,21 €/unidad (Pedido mínimo: 500 unidades)
Envío
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