Unidad de Estado Sólido para SAMSUNG MZ-V8P1T0BW 1TB 980 PRO NVMe M.2 SSD PCIe Gen 4.0 DDR4 SDRAM con Cifrado AES de 256 bits
Unidad de Estado Sólido para SAMSUNG MZ-V8P1T0BW 1TB 980 PRO NVMe M.2 SSD PCIe Gen 4.0 DDR4 SDRAM con Cifrado AES de 256 bitsPuntuación de la tienda:
4.3
(1336 reseñas)
Atributos
SATATipo de interfaz
"2,5"""Talla
ssdEstilo
EscritorioUso
InternoTipo
601-700 MB/SVelocidad de lectura
Velocidad de escritura:601-700 MB/S
Velocidad:15000R/MIN
Interfaz ritmo cardíaco:12 Gb/s
Caché:8MB
Capacidad HDD:1TB
Solo disco capacidad:1000 GB
Número de HD:1 unid
Puerto de expansión:SATA
Material del armazón:Metal
Tiene fuente de alimentación externa:No
Estado del producto:Nuevo
Condición del artículo:Nuevo
Privado molde:NO
Paquete:Sí
Peso ( incluyendo el paquete ):82 g
Promedio Seek tiempo:2.0 ms
Wireless:Sí
Nivel de ruido:600 MB/S
Lugar del origen:Guangdong, China
Número de Modelo:MZ-V8P1T0BW
Marca:OEM
Aplicar:PC cliente, consola de juegos
Forma:M.2 (2280)
Interfaz:PCIe Gen 4,0x4, NVMe 2,0
Flash NAND:Para Samsung V-NAND 3-bit MLC
Controlador:Para el controlador de desarrollo propio de Samsung
Caché:Para SAMSUNG de 1GB de baja potencia DDR4 SDRAM
Lectura secuencial:Hasta 7.450 MB/s
Escrituras Secuenciales:Hasta 6.900 MB/s
Consumo medio de energía (nivel del sistema):* Promedio: 5,4 W * Max: 7,8 W
Voltaje permisible:3,3 V ± 5% tensión admisible
Características clave
Tipo de interfaz
SATA
Talla
"2,5"""
Estilo
ssd
Uso
Escritorio
Tipo
Interno
Velocidad de lectura
601-700 MB/S
Velocidad de escritura
601-700 MB/S
Velocidad
15000R/MIN
Interfaz ritmo cardíaco
12 Gb/s
Caché
8MB
Capacidad HDD
1TB
Solo disco capacidad
1000 GB
Número de HD
1 unid
Puerto de expansión
SATA
Material del armazón
Metal
Tiene fuente de alimentación externa
No
Estado del producto
Nuevo
Condición del artículo
Nuevo
Privado molde
NO
Paquete
Sí
Peso ( incluyendo el paquete )
82 g(2.89oz)
Promedio Seek tiempo
2.0 ms
Wireless
Sí
Nivel de ruido
600 MB/S
Lugar del origen
Guangdong, China
Número de Modelo
MZ-V8P1T0BW
Marca
OEM
Aplicar
PC cliente, consola de juegos
Forma
M.2 (2280)
Interfaz
PCIe Gen 4,0x4, NVMe 2,0
Flash NAND
Para Samsung V-NAND 3-bit MLC
Controlador
Para el controlador de desarrollo propio de Samsung
Caché
Para SAMSUNG de 1GB de baja potencia DDR4 SDRAM
Lectura secuencial
Hasta 7.450 MB/s
Escrituras Secuenciales
Hasta 6.900 MB/s
Consumo medio de energía (nivel del sistema)
* Promedio: 5,4 W * Max: 7,8 W
Voltaje permisible
3,3 V ± 5% tensión admisible
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
8.01X2.5X0.8 cm
Tiempo de entrega
Opciones de personalización
新定景类式+43,49 €/unidad (Pedido mínimo: 500 unidades)
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Descripción de producto del proveedor
Personalizable
Cantidad mínima de compra: 1 unidad
EUR 8610
Variantes
ElegirColor: Negro
Capacidad: 1TB
1TB
Capacidad SSD
240G
Opciones de personalización
新定景类式+43,49 €/unidad (Pedido mínimo: 500 unidades)
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