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Unidad de Estado Sólido para SAMSUNG MZ-V8P1T0BW 1TB 980 PRO NVMe M.2 SSD PCIe Gen 4.0 DDR4 SDRAM con Cifrado AES de 256 bits

Sin reseñas
EUR8677
Cantidad mínima de compra: 1 unidad
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Capacidad

1TB

Capacidad de SSD

240G
Opciones de personalización
新定景类式+43,82 €/unidad (Pedido mínimo: 500 unidades)

Características principales

Tipo de interfaz

SATA

Tamaño

"2,5"""

Estilo

ssd

Aplicación

Escritorio

Tipo

Interno

Velocidad de lectura

601-700 MB/S

De un vistazo

  • Interfaz PCIe Gen 4.0: La interfaz PCIe Gen 4.0 proporciona velocidades de transferencia de datos significativamente más rápidas, mejorando el rendimiento general de la SSD en aplicaciones de alta demanda.

  • Capacidad de 1 TB: Una capacidad de 1 TB ofrece un espacio de almacenamiento amplio para archivos grandes, aplicaciones y sistemas operativos, lo que la hace adecuada tanto para PC de cliente como para consolas de juegos.

  • Velocidad de lectura secuencial: Con velocidades de lectura secuencial de hasta 7,450 MB/s, este SSD garantiza un acceso rápido a los datos, mejorando la respuesta del sistema y los tiempos de carga.

  • Cifrado AES de 256 bits: El cifrado AES de 256 bits proporciona una seguridad de datos robusta, protegiendo la información sensible de accesos no autorizados y asegurando el cumplimiento de los estándares de seguridad.

Envío

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Características clave

Tipo de interfaz
SATA
Tamaño
"2,5"""
Estilo
ssd
Aplicación
Escritorio
Tipo
Interno
Velocidad de lectura
601-700 MB/S
Velocidad de escritura
601-700 MB/S
Velocidad
15000R/MIN
Velocidad de interfaz
12 Gb/s
Caché
8MB
Capacidad del disco duro
1TB
Capacidad de disco individual
1000 GB
Número de puertos HD
1 unid
Puerto de expansión
SATA
Material de la carcasa
Metal
Cuenta con fuente de alimentación externa
No
Estado del producto
Nuevo
Estado del producto
Nuevo
Molde privado
NO
Embalaje
Sí
Peso (paquete incluido)
82 g
Tiempo medio de búsqueda
2.0 ms
Inalámbrico
Sí
Nivel de ruido
600 MB/S
Lugar de origen
Guangdong, China
Número de modelo
MZ-V8P1T0BW
Marca
OEM
aplicación
PC cliente, consola de juegos
factor de forma
M.2 (2280)
interfaz
PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 2.0
Memoria flash NAND
Para Samsung V-NAND MLC de 3 bits
controlador
Controlador de desarrollo propio de SAMSUNG
caché
para SDRAM DDR4 de bajo consumo de 1 GB de SAMSUNG
Lectura secuencial
Hasta 7450 MB/s
Escritura secuencial
Hasta 6.900 MB/s
Consumo de energía promedio (nivel de sistema)
* Promedio: 5,4 W * Máx.: 7,8 W
Tensión admisible
3,3 V ± 5 % tensión admisible

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
8.01X2.5X0.8 cm
Peso bruto
0.0 kg

Tiempo de entrega

Opciones de personalización

新定景类式(+ desde +43,82 €/unidad/Pedido mínimo: 500 unidades)
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