Unidad de Estado Sólido para SAMSUNG MZ-V8P1T0BW 1TB 980 PRO NVMe M.2 SSD PCIe Gen 4.0 DDR4 SDRAM con Cifrado AES de 256 bits
Puntuación de la tienda:
3.6
(236 reseñas)





Atributos
InternoTipo
ssdEstilo
EscritorioAplicación
"2,5"""Tamaño
SATATipo de interfaz
1TBCapacidad del disco duro
Velocidad de lectura:601-700 MB/S
Velocidad de escritura:601-700 MB/S
Velocidad:15000R/MIN
Caché:8MB
Estado del producto:Nuevo
Marca:OEM
Tiempo medio de búsqueda:2.0 ms
Velocidad de interfaz:12 Gb/s
Número de puertos HD:1 unid
Estado del producto:Nuevo
Material de la carcasa:Metal
Cuenta con fuente de alimentación externa:No
Puerto de expansión:SATA
Molde privado:NO
Peso (paquete incluido):82 g
Capacidad de disco individual:1000 GB
Inalámbrico:Sí
Embalaje:Sí
Nivel de ruido:600 MB/S
Lugar de origen:Guangdong, China
Número de modelo:MZ-V8P1T0BW
Aplicar:PC cliente, consola de juegos
Forma:M.2 (2280)
Interfaz:PCIe Gen 4,0x4, NVMe 2,0
Flash NAND:Para Samsung V-NAND 3-bit MLC
Controlador:Para el controlador de desarrollo propio de Samsung
Caché:Para SAMSUNG de 1GB de baja potencia DDR4 SDRAM
Lectura secuencial:Hasta 7.450 MB/s
Escrituras Secuenciales:Hasta 6.900 MB/s
Consumo de energía promedio (nivel del sistema):* Promedio: 5,4 W * Max: 7,8 W
Voltaje permisible:Tensión permitida 3,3 V ± 5%
Características clave
Tipo
Interno
Estilo
ssd
Aplicación
Escritorio
Tamaño
"2,5"""
Tipo de interfaz
SATA
Capacidad del disco duro
1TB
Velocidad de lectura
601-700 MB/S
Velocidad de escritura
601-700 MB/S
Velocidad
15000R/MIN
Caché
8MB
Estado del producto
Nuevo
Marca
OEM
Tiempo medio de búsqueda
2.0 ms
Velocidad de interfaz
12 Gb/s
Número de puertos HD
1 unid
Estado del producto
Nuevo
Material de la carcasa
Metal
Cuenta con fuente de alimentación externa
No
Puerto de expansión
SATA
Molde privado
NO
Peso (paquete incluido)
82 g(2.89oz)
Capacidad de disco individual
1000 GB
Inalámbrico
Sí
Embalaje
Sí
Nivel de ruido
600 MB/S
Lugar de origen
Guangdong, China
Número de modelo
MZ-V8P1T0BW
Aplicar
PC cliente, consola de juegos
Forma
M.2 (2280)
Interfaz
PCIe Gen 4,0x4, NVMe 2,0
Flash NAND
Para Samsung V-NAND 3-bit MLC
Controlador
Para el controlador de desarrollo propio de Samsung
Caché
Para SAMSUNG de 1GB de baja potencia DDR4 SDRAM
Lectura secuencial
Hasta 7.450 MB/s
Escrituras Secuenciales
Hasta 6.900 MB/s
Consumo de energía promedio (nivel del sistema)
* Promedio: 5,4 W * Max: 7,8 W
Voltaje permisible
Tensión permitida 3,3 V ± 5%
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete por lote
8.01X2.5X0.8 cm
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
Cantidad mínima de compra: 1 unidad
EUR 8556
Variantes
ElegirColor: Negro
Capacidad: 1TB
1TB
Capacidad de SSD
240G
Envío
Tarifa de envío y fecha de entrega por definir. Chatea con el proveedor para confirmar los detalles.
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