Unidad de estado sólido para Samsung 1TB 980 PRO NVMe M.2 SSD PCIe Gen 4,0 DDR4 SDRAM AES cifrado de 256 bits
Puntuación de la tienda:
3.6
(236 reseñas)6 vendido/s





Atributos
InternoTipo
ssdEstilo
EscritorioAplicación
"2,5"""Tamaño
SATATipo de interfaz
1TBCapacidad del disco duro
Velocidad de lectura:601-700 MB/S
Velocidad de escritura:601-700 MB/S
Velocidad:15000R/MIN
Caché:8MB
Estado del producto:Nuevo
Marca:FOR SAMSUNG
Tiempo medio de búsqueda:2.0 ms
Velocidad de interfaz:12 Gb/s
Número de puertos HD:1 unid
Estado del producto:Nuevo
Material de la carcasa:Metal
Cuenta con fuente de alimentación externa:No
Puerto de expansión:SATA
Molde privado:NO
Peso (paquete incluido):82 g
Capacidad de disco individual:1000 GB
Inalámbrico:Sí
Embalaje:Sí
Nivel de ruido:600 MB/S
Lugar de origen:Guangdong, China
Número de modelo:MZ-V8P1T0BW
apply:Client PC, game console
shape:M.2 (2280)
interface:PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 2.0
NAND flash:FOR SAMSUNG V-NAND 3-bit MLC
controller:FOR SAMSUNG's self-developed controller
cache:FOR SAMSUNG's 1GB low-power DDR4 SDRAM
Sequential reading:Up to 7,450 MB/s
Sequential writes:Up to 6,900 MB/s
Average power consumption (system level):* Average: 5.4W * Max: 7.8W
Permissible voltage:3.3 V ± 5 % permissible voltage
Características clave
Tipo
Interno
Estilo
ssd
Aplicación
Escritorio
Tamaño
"2,5"""
Tipo de interfaz
SATA
Capacidad del disco duro
1TB
Velocidad de lectura
601-700 MB/S
Velocidad de escritura
601-700 MB/S
Velocidad
15000R/MIN
Caché
8MB
Estado del producto
Nuevo
Marca
FOR SAMSUNG
Tiempo medio de búsqueda
2.0 ms
Velocidad de interfaz
12 Gb/s
Número de puertos HD
1 unid
Estado del producto
Nuevo
Material de la carcasa
Metal
Cuenta con fuente de alimentación externa
No
Puerto de expansión
SATA
Molde privado
NO
Peso (paquete incluido)
82 g(2.89oz)
Capacidad de disco individual
1000 GB
Inalámbrico
Sí
Embalaje
Sí
Nivel de ruido
600 MB/S
Lugar de origen
Guangdong, China
Número de modelo
MZ-V8P1T0BW
apply
Client PC, game console
shape
M.2 (2280)
interface
PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 2.0
NAND flash
FOR SAMSUNG V-NAND 3-bit MLC
controller
FOR SAMSUNG's self-developed controller
cache
FOR SAMSUNG's 1GB low-power DDR4 SDRAM
Sequential reading
Up to 7,450 MB/s
Sequential writes
Up to 6,900 MB/s
Average power consumption (system level)
* Average: 5.4W * Max: 7.8W
Permissible voltage
3.3 V ± 5 % permissible voltage
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
15X11X3 cm
Peso bruto
0.250 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
5 - 9 unidades
EUR 16419
10 - 999 unidades
EUR 7778
>= 1,000 unidades
EUR 4753
Variantes
ElegirCapacidad: 1TB


Color: Negro
Tipo de Almacenamiento
SSD
Envío
Tarifa de envío y fecha de entrega por definir. Chatea con el proveedor para confirmar los detalles.
4 pagos sin intereses con
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Garantía de devolución de dinero
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