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11%
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Principales mercados: República de Corea, Japón, Francia, Australia, Estados Unidos de América

Unidad de estado sólido para SAMSUNG MZ-77E4T0BW 4TB 870 EVO SATA 2.5" SSD V-NAND 3bit MLC DDR4 SDRAM AES 256-bit

Sin reseñas9 vendido/sbillboard#15 más vendidos en Discos duros NVMe
EUR17426
5-19 unidades
EUR11384
20-4,999 unidades
EUR7706
5,000-499,999 unidades
EUR4817
≥500,000 unidades
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Color

Capacidad

1TB
2TB
4TB
500GB

Tipo de Almacenamiento

SSD

Características principales

Tipo de interfaz

SATA

Tamaño

"2,5"""

Estilo

ssd

Aplicación

Escritorio

Tipo

Interno

Velocidad de lectura

601-700 MB/S

De un vistazo

  • Capacidad de 4 TB: Proporciona un amplio espacio de almacenamiento para archivos grandes, aplicaciones y contenido multimedia.

  • Interfaz SATA: Asegura la compatibilidad con una amplia gama de computadoras de escritorio y portátiles, facilitando su instalación y uso.

  • Hasta 7,450 MB/s de velocidad de lectura: Permite un acceso y transferencia de datos rápidos, mejorando el rendimiento general del sistema y la respuesta.

  • V-NAND 3-bit MLC: Ofrece mayor fiabilidad y durabilidad, garantizando un rendimiento estable y duradero a lo largo del tiempo.

Envío

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4 pagos sin intereses con

Características clave

Tipo de interfaz
SATA
Tamaño
"2,5"""
Estilo
ssd
Aplicación
Escritorio
Tipo
Interno
Velocidad de lectura
601-700 MB/S
Velocidad de escritura
601-700 MB/S
Velocidad
15000R/MIN
Velocidad de interfaz
12 Gb/s
Caché
8 MB, para SAMSUNG's 1GB DDR4 SDRAM de bajo consumo
Capacidad del disco duro
4TB
Capacidad de disco individual
1000 GB
Número de puertos HD
1 unid
Puerto de expansión
SATA
Material de la carcasa
Metal
Cuenta con fuente de alimentación externa
No
Estado del producto
Nuevo
Estado del producto
Nuevo
Molde privado
NO
Embalaje
Sí
Peso (paquete incluido)
82 g
Tiempo medio de búsqueda
2.0 ms
Inalámbrico
Sí
Nivel de ruido
600 MB/S
Lugar de origen
Guangdong, China
Número de modelo
MZ-77E4T0BW
Marca
OEM
aplicar
PC del cliente, consola de juegos
forma
M.2 (2280)
interfaz
PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 2.0
Memoria flash NAND
PARA SAMSUNG V-NAND MLC de 3 bits
controlador
Para el controlador de desarrollo propio de SAMSUNG
Lectura secuencial
Hasta 7.450 MB/s
Escrituras secuenciales
Hasta 6900 MB/s
Consumo medio de energía (nivel de sistema)
* Promedio: 5.4W * Máx: 7.8W
Tensión admisible
3,3 V ± 5 % de tensión admisible

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
8.01X2.5X0.8 cm
Peso bruto
0.28 kg

Tiempo de entrega

Descripción de producto del proveedor

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