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Servicio de Soporte Técnico IQFH36N04NM6ATMA1 MOSFET 300W PD 40V VDSS 656A RDS a 0.36mOhm a 10V IQFH36N04NM6 TSON-12 en Carrete de Cinta

Sin reseñas
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50-4,999 unidades
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5,000-49,999 unidades
EUR 3.30
≥50,000 unidades
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Características

IQFH36N04NM6ATMA1

Características principales

Número de pieza del fabricante

YJL2301G

Tipo

MOSFETs

Marca

IQFH36N04NM6ATMA1

Tipo de paquete

MOSFETs

Descripción

MOSFETs IQFH36N04NM6ATMA1

Lugar del origen

China

Envío

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Características clave

Número de pieza del fabricante
YJL2301G
Tipo
MOSFETs
Marca
IQFH36N04NM6ATMA1
Tipo de paquete
MOSFETs
Descripción
MOSFETs IQFH36N04NM6ATMA1
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
TSON-12
Temperatura de funcionamiento
-55 a +175 grados Celsius
Serie
IQFH36N04NM6ATMA1
Código de fecha de fabricación
Aleatorio o Contacto
Uso
MOSFETs
Tipo de Proveedor
Agencia, Minorista
Referencia cruzada
Referencia Cruzada Estándar
Los medios disponibles
Hoja de Datos
Corriente de colector (Ic) (máx.)
IC estándar
Tensión de ruptura colector-emisor (máx.)
Tensión de ruptura estándar
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
Saturación Vce estándar
Corriente de colector de corte (Max)
Corriente de corte del colector estándar
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
hFE estándar
Poder-Max
Potencia estándar
-Frecuencia de transición
Frecuencia estándar
Resistencia Base (R1)
Estándar R1
Resistencia-emisor Base (R2)
Estándar R2
FET tipo
FET estándar
FET característica
FET estándar
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
Vdss estándar
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
ID estándar
Rds (Max) @ Id Vgs
Rds On estándar
Vgs (th) (Max) @ Id
Vgs(th) estándar
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
Qg estándar
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
Ciss estándar
Frecuencia
Frecuencia estándar
Corriente nominal (en amperios)
Clasificación de Corriente Estándar
Ruido
Bajo ruido
Potencia de salida
Potencia de salida estándar
-Tensión nominal
Tensión nominal estándar
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
Voltaje de accionamiento estándar
Vgs (Max)
Vgs estándar
Tipo IGBT de
IGBT estándar
Configuración
Consultar la hoja de datos
Vce (on) (Max) @ Vge Ic
Vec estándar en
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
Cies Estándar
De entrada
Entrada estándar
Termistor NTC
NTC estándar
-Tensión de distribución (V (BR) GSS)
Estándar V(BR)GSS
Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
Idss Estándar
Corriente de drenaje (Id).
ID estándar
-Tensión de corte (VGS) @ Id
VGS estándar apagado
Resistencia-On (RDS)
Resistencia estándar
Tensión de salida-salida
Voltaje estándar
-Tensión Offset (Vt)
Vt estándar
Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)
Igao estándar
Corriente de Valle Iv)
Estándar IV
Corriente de pico
Corriente de Pico Estándar
Tipo de Transistor
Transistor Estándar
Tipo de montaje
Montaje Estándar
Número de pieza
IQFH36N04NM6ATMA1
Embalaje
Carrete de cinta
Disipación de potencia (Pd)
300W
Tensión drenador-fuente
40V
Corriente de Drenaje Continuo (Id)
656A
Número
Número de Canal Estándar
RDS(on)
0,36 mOhm a 10 V
Lugar de origen
China

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
6X6X3 cm
Peso bruto
0.010 kg

Tiempo de entrega