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Surface Mount Semiconductor QFN Package NT5CC256M16ER-EK DRAM Memory IC Chip

Sin reseñas
EUR1083
10-99 unidades
EUR1031
100-999 unidades
EUR996
≥1,000 unidades
Precio de muestra:EUR 17.33
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Especificación

NT5CC256M16ER-EK

Código de fecha de fabricación

24+

Características principales

Marca

5chips

Número de pieza del fabricante

NT5CC256M16ER-EK

Tipo

Storage Semiconductor

Velocidad de datos

1866MT/s

Tamaño de la memoria

4Gbit (256Mx16)

Lugar del origen

Guangdong, China

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Características clave

Marca
5chips
Número de pieza del fabricante
NT5CC256M16ER-EK
Tipo
Storage Semiconductor
Velocidad de datos
1866MT/s
Tamaño de la memoria
4Gbit (256Mx16)
Lugar del origen
Guangdong, China
Descripción
DRAM Memory IC, Storage Semiconductor, 4Gbit 256Mx16 1866Mbps
Tipo de embajaje
TFBGA-96
Función
Synchronous DDR3L data sttorage, ODT, ZQ calibration, Self-refresh
Aplicación
Tablet, STB, Embedded Equipment, Smart IoT
Temperatura de funcionamiento
0℃ ~ +95℃
PAQUETE/cubierta
TFBGA-96 SMD BGA, 96 solder balls
Serie
NT5CC256M16ER-EK
Características
DDR3L Low Voltage, 1.35V, ODT, ZQ Calibration
Referencia cruzada
N/A
Química de la batería
N/A
Tipo de memoria
DDR3L
Interfaz de la memoria
16-bit bus width
Corriente de alimentación (Max)
Refer to datasheet
La tecnología
DRAM
-Tensión de alimentación
1.35V
Tipo de expansión
N/A
Autobús direccional
Bidirectional bus
Frecuencia de reloj
933MHz Core Clock Frequency
Organización de la memoria
256M x 16-bit
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
Min 15ns; Full Row Cycle (tRC)=47.91ns
Data Rate
1866Mbps (933MHz Core Clock Frequency, Double Data Rate)
Max Operating Current
145mA
I/O Interface
SSTL_135 low voltage interface
Operating Temperature
0℃ ~ +95℃
Package Size
8.0mm(W) x 3.0mm(L) x 1.2mm(Max Thickness)
Ball Pitch
0.8mm(800μm)
MSL Grade
MSL3 Moisture Sensitivity Level

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.1 kg

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