Componente Electrónico TK58E06N1 TO-220, Transistor de Potencia de 58A 60V, MOSFET de Canal N K58E06N1 TK58E06N1
Puntuación de la tienda:
5.0
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Atributos
MOSFET, MOSFETTipo
inversorUso
PARA-220Tipo de paquete
Agujero PasanteTipo de montaje
Hoja de Datos, Foto, EDA/modelos CAD, OtrosLos medios disponibles
Fabricante original, ODM, Agencia, MinoristaTipo de Proveedor
PAQUETE/cubierta:PARA-220
Descripción:FET de puente de mos
Número de pieza del fabricante:TK58E06N1
Marca:original
Lugar del origen:Guangdong, China
Temperatura de funcionamiento:Estándar, Estándar
Serie:Estándar
Código de fecha de fabricación:más nuevo
Referencia cruzada:NJW0302 NJW0281
Tensión de ruptura colector-emisor (máx.):Estándar
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic:Estándar
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce:Estándar
Resistencia Base (R1):Estándar
Resistencia-emisor Base (R2):Estándar
FET tipo:ESTÁNDAR
Tensión de drenador a fuente (Vdss):Estándar
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C:Estándar
Rds (Max) @ Id Vgs:Estándar
Vgs (th) (Max) @ Id:Estándar
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs:Estándar
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds):Estándar
Frecuencia:Estándar
Corriente nominal (en amperios):Estándar
Ruido:Estándar
Potencia de salida:Estándar
-Tensión nominal:Estándar
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds):Estándar
Vgs (Max):Estándar
Tipo IGBT de:Estándar
Vce (on) (Max) @ Vge Ic:Estándar
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce:Estándar
De entrada:Estándar
Termistor NTC:Estándar
-Tensión de distribución (V (BR) GSS):Estándar
Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0):Estándar
Corriente de drenaje (Id).:Estándar
-Tensión de corte (VGS) @ Id:Estándar
Resistencia-On (RDS):Estándar
Tensión de salida-salida:Estándar
-Tensión Offset (Vt):Estándar
Actual-puerta a ánodo fugas (Igao):Estándar
Corriente de Valle Iv):Estándar
Corriente de pico:Estándar
Tipo de montaje:Montaje superficial
Tipo de Transistor:FET de puente de mos
PLAZO DE ENTREGA:1-3 Días Laborales
Servicio:Servicio Integral de Lista de Materiales (BOM)
Hoja de datos:¡Por favor contáctenos!
Inversor:¡Por favor contáctenos!
Características clave
Tipo
MOSFET, MOSFET
Uso
inversor
Tipo de paquete
PARA-220
Tipo de montaje
Agujero Pasante
Los medios disponibles
Hoja de Datos, Foto, EDA/modelos CAD, Otros
Tipo de Proveedor
Fabricante original, ODM, Agencia, Minorista
PAQUETE/cubierta
PARA-220
Descripción
FET de puente de mos
Número de pieza del fabricante
TK58E06N1
Marca
original
Lugar del origen
Guangdong, China
Temperatura de funcionamiento
Estándar, Estándar
Serie
Estándar
Código de fecha de fabricación
más nuevo
Referencia cruzada
NJW0302 NJW0281
Tensión de ruptura colector-emisor (máx.)
Estándar
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
Estándar
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
Estándar
Resistencia Base (R1)
Estándar
Resistencia-emisor Base (R2)
Estándar
FET tipo
ESTÁNDAR
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
Estándar
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
Estándar
Rds (Max) @ Id Vgs
Estándar
Vgs (th) (Max) @ Id
Estándar
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
Estándar
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
Estándar
Frecuencia
Estándar
Corriente nominal (en amperios)
Estándar
Ruido
Estándar
Potencia de salida
Estándar
-Tensión nominal
Estándar
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
Estándar
Vgs (Max)
Estándar
Tipo IGBT de
Estándar
Vce (on) (Max) @ Vge Ic
Estándar
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
Estándar
De entrada
Estándar
Termistor NTC
Estándar
-Tensión de distribución (V (BR) GSS)
Estándar
Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
Estándar
Corriente de drenaje (Id).
Estándar
-Tensión de corte (VGS) @ Id
Estándar
Resistencia-On (RDS)
Estándar
Tensión de salida-salida
Estándar
-Tensión Offset (Vt)
Estándar
Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)
Estándar
Corriente de Valle Iv)
Estándar
Corriente de pico
Estándar
Tipo de montaje
Montaje superficial
Tipo de Transistor
FET de puente de mos
PLAZO DE ENTREGA
1-3 Días Laborales
Servicio
Servicio Integral de Lista de Materiales (BOM)
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