





Atributos
FQP5N60CNúmero de Modelo
A través del agujeroTipo de montaje
ChinaLugar del origen
OriginalMarca
FETs, MOSFETsAplicación funcional
TO-220-3Package / Case
Description:POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
Package:Bulk
FET Type:N-Channel
Technology:MOSFET (Metal Oxide)














