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Transistor MOSFET de canal P TO-220 IRF4905PBF, 55 V, 74 A, 20 mOhm/10 V, 200 W, 4 V, 180 nC/10 V, 3.4 nF, 640 pF, -55℃~+175℃, BOM

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Características principales

Número de pieza del fabricante

IRF4905PBF

Tipo

MOSFET

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Agujero de labranza

Descripción

MOSFET de canal P, 55 V, 74 A

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Características clave

Número de pieza del fabricante
IRF4905PBF
Tipo
MOSFET
Marca
Original
Tipo de paquete
Agujero de labranza
Descripción
MOSFET de canal P, 55 V, 74 A
Lugar del origen
Original
PAQUETE/cubierta
TO-220,TO-220AB
Temperatura de funcionamiento
-55℃~+175℃
Poder-Max
200 W
FET tipo
Canal P
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
55 V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
74 A
Rds (Max) @ Id Vgs
20 mOhm/10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
4 V
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
180 nC/10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
3.4 nF

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