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MOSFET de canal N TO-220 IRF540NPBF, 100V, 33A, 44mOhm/10V, 130W, 4V, 71nC/10V, 1.96nF, 40pF, -55℃~+175℃, transistor BOM TO-220AB

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Características
Opciones de personalización
Embalaje personalizado (Pedido mínimo: 10.000 unidades)

Características principales

Número de pieza del fabricante

IRF540NPBF

Tipo

MOSFET

Marca

Original

Tipo de paquete

Agujero de labranza

Descripción

MOSFET de canal N, 100V, 33A

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Características clave

Número de pieza del fabricante
IRF540NPBF
Tipo
MOSFET
Marca
Original
Tipo de paquete
Agujero de labranza
Descripción
MOSFET de canal N, 100V, 33A
Lugar del origen
Original
PAQUETE/cubierta
TO-220
Temperatura de funcionamiento
-55℃~+175℃
Poder-Max
130W
FET tipo
Canal N
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
100V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
33A
Rds (Max) @ Id Vgs
44mOhm/10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
71nC/10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
1.96nF

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