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Transistores TO-247-4L NVH4L050N170M1, Componente Electrónico BOM IC, En Stock

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100-3,099 unidades
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Cantidad

Características principales

Número de pieza del fabricante

NVH4L050N170M1

Marca

Original

Descripción

MOSFET DE CARBURO DE SILICIO (SiC) ELI

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

TO-247-4L

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)

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Características clave

Número de pieza del fabricante
NVH4L050N170M1
Marca
Original
Descripción
MOSFET DE CARBURO DE SILICIO (SiC) ELI
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
TO-247-4L
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Serie
-
Código de fecha de fabricación
NUEVO
FET tipo
N-Channel
FET característica
-
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
1700 V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
45A (Tc)
Rds (Max) @ Id Vgs
76mOhm @ 35A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id
4.3V @ 10mA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
105 nC @ 20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
2063 pF @ 1000 V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
20V
Vgs (Max)
+25V, -15V
Tipo de montaje
A través del agujero
Embalaje
A granel
Tipo de FET
Canal N
Tecnología
SiC (Transistor de Unión de Carburo de Silicio)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg

Tiempo de entrega

Descripción de producto del proveedor

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