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Transistores TO-247 IXFH60N65X2, Componentes Electrónicos, Distribuidor Autorizado

Sin reseñas
EUR688
100-3,099 unidades
EUR344
≥3,100 unidades

Cantidad

Características principales

Número de pieza del fabricante

IXFH60N65X2

Marca

Original

Descripción

MOSFET N-CH 650V 60A TO247

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

TO-247 (IXTH)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Características clave

Número de pieza del fabricante
IXFH60N65X2
Marca
Original
Descripción
MOSFET N-CH 650V 60A TO247
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
TO-247 (IXTH)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Serie
HiPerFET, Ultra X2
Código de fecha de fabricación
NUEVO
FET tipo
N-Channel
FET característica
-
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
650 V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
60A (Tc)
Rds (Max) @ Id Vgs
52mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
5.5V @ 4mA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
107 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
6180 pF @ 25 V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
10V
Vgs (Max)
±30V
Tipo de montaje
A través del agujero
Embalaje
Tubo
Tipo de FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (Óxido Metálico)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.1 kg

Tiempo de entrega

Descripción de producto del proveedor

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