TO-263 (D2PAK) Electronic Components Integrated Circuit Transistors Original One Stop Service SIHB100N65E-GE3
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Atributos
SIHB100N65E-GE3Número de Modelo
Montaje superficialTipo de montaje
ChinaLugar del origen
OriginalMarca
FETs, MOSFETsAplicación funcional
TO-263 (D2PAK)Package / Case
Description:E SERIES POWER MOSFET 650 V (D-
Package:Tube
FET Type:N-Channel
Technology:MOSFET (Metal Oxide)
Características clave
Número de Modelo
SIHB100N65E-GE3
Tipo de montaje
Montaje superficial
Lugar del origen
China
Marca
Original
Aplicación funcional
FETs, MOSFETs
Package / Case
TO-263 (D2PAK)
Description
E SERIES POWER MOSFET 650 V (D-
Package
Tube
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
100 - 3,099 unidades
EUR 359
>= 3,100 unidades
EUR 180
Variantes
ElegirCaracterísticas
SIHB100N65E-GE3
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