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Transistores TO-268HV IXFT78N60X3HV, Componentes Electrónicos, BOM IC, En Stock

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Cantidad

Características principales

Número de pieza del fabricante

IXFT78N60X3HV

Marca

Original

Descripción

MOSFET ULTRA 600V 78A TO268HV

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

TO-268HV (IXFT)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Características clave

Número de pieza del fabricante
IXFT78N60X3HV
Marca
Original
Descripción
MOSFET ULTRA 600V 78A TO268HV
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
TO-268HV (IXFT)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Serie
HiPerFET, Ultra X3
Código de fecha de fabricación
NUEVO
FET tipo
N-Channel
FET característica
-
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
600 V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
78A (Tc)
Rds (Max) @ Id Vgs
38mOhm @ 39A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
5V @ 4mA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
4700 pF @ 25 V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
10V
Vgs (Max)
±20V
Tipo de montaje
Montaje superficial
Embalaje
Tubo
Tipo de FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (Óxido Metálico)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg

Tiempo de entrega

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