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TP65H100G4LSGB-TR 8-PQFN Transistores Componentes Electrónicos Originales

Sin reseñas
EUR 0.7934
100-3,099 unidades
EUR 0.4011
≥3,100 unidades

Cantidad

Características principales

Número de pieza del fabricante

TP65H100G4LSGB-TR

Marca

Original

Descripción

FETs de alta tensión

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

8-PQFN (8x8)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Características clave

Número de pieza del fabricante
TP65H100G4LSGB-TR
Marca
Original
Descripción
FETs de alta tensión
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
8-PQFN (8x8)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Serie
SuperGaN
Código de fecha de fabricación
NUEVO
FET tipo
N-Channel
FET característica
-
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
650 V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
18.9A (Tc)
Rds (Max) @ Id Vgs
110mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4.1V @ 1.8mA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
14.4 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
818 pF @ 400 V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
10V
Vgs (Max)
±20V
Tipo de montaje
Montaje superficial
Embalaje
Tape & Reel (TR), cinta cortada (CT), Digi-Reel
Tipo de FET
Canal N
Tecnología
GaNFET (nitruro de galio)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg

Tiempo de entrega

Descripción de producto del proveedor

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