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Transistores 21-PowerDIP Módulo NXV10V160ST1 Componente Electrónico En Stock

Sin reseñas
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100-3,099 unidades
EUR1252
≥3,100 unidades

Cantidad

Características principales

Número de pieza del fabricante

NXV10V160ST1

Marca

Original

Descripción

MOSFET 6N-CH 100V APM21-CGA

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

Módulo 21-PowerDIP (1.370", 34.80mm)

Temperatura de funcionamiento

175°C (TJ)

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Características clave

Número de pieza del fabricante
NXV10V160ST1
Marca
Original
Descripción
MOSFET 6N-CH 100V APM21-CGA
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
Módulo 21-PowerDIP (1.370", 34.80mm)
Temperatura de funcionamiento
175°C (TJ)
Serie
-
Código de fecha de fabricación
NUEVO
Poder-Max
-
FET característica
-
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
100V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
-
Rds (Max) @ Id Vgs
-
Vgs (th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
101nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
6970pF @ 50V
Configuración
6 N-Channel
Tipo de montaje
A través del agujero
Embalaje
Tubo
Tecnología
MOSFET (Óxido Metálico)
Configuración
6 canales N

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.1 kg

Tiempo de entrega

Descripción de producto del proveedor

Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidores