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Transistores 8-PowerTDFN BSC0923NDIATMA1 Componente Electrónico Distribuidor Autorizado

Sin reseñas
EUR 1.09
100-3,099 unidades
EUR 0.5495
≥3,100 unidades

Cantidad

Características principales

Número de pieza del fabricante

BSC0923NDIATMA1

Marca

Original

Descripción

MOSFET 2N-CH 30V 17A/32A TISON8

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

8-PowerTDFN

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Características clave

Número de pieza del fabricante
BSC0923NDIATMA1
Marca
Original
Descripción
MOSFET 2N-CH 30V 17A/32A TISON8
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
8-PowerTDFN
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Serie
OptiMOS
Código de fecha de fabricación
NUEVO
Poder-Max
1W
FET característica
La lógica de puerta de nivel 4,5 V Coche
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
30V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
17A, 32A
Rds (Max) @ Id Vgs
5mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
10nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
1160pF @ 15V
Configuración
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Tipo de montaje
Montaje superficial
Embalaje
Tape & Reel (TR), cinta cortada (CT), Digi-Reel
Tecnología
MOSFET (Óxido Metálico)
Configuración
2 Canales N (Doble) Asimétricos

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.1 kg

Tiempo de entrega

Descripción de producto del proveedor

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